SRM2137硅中硼植入深度剖面濃度標準品NIST 旨在用于通過二次離子質譜 (SIMS) 分析技術校準對硅基質中微量和痕量硼的二次離子響應。 SRM 2137 的一個單元由一個單晶硅襯底組成，其表面通過硅離子注入而變得無序。襯底被離子注入同位素10B，標稱能量為50 keV。 SRM 2137 已通過中子深度剖析獲得 10B 原子保留劑量的認證。劑量以每單位面積 10B 質量為單位表示。 SIMS 提供了關于 10B 原子濃度隨地表以下深度變化的未經認證的信息。

認證值和不確定度：

10B 原子的總保留劑量通過稱為中子深度剖析的中子反應方法確定，使用沉積在硅上的金屬 10B 校準參考膜作為標準。所述不確定度是 95% 的覆蓋率，95% 的置信度容差區(qū)間，包括隨機測量誤差、材料變異性估計和系統(tǒng)不確定性。假設由于注入過程中的空間變化，SRM 單元之間的實際保留劑量可能會有所不同。由認證值定義的區(qū)間及其相關不確定性涵蓋了至少 95% 的 SRM 單位中的真實 10B 劑量，置信度為 95%。

認證到期：

SRM2137硅中硼植入深度剖面濃度標準品NIST 的認證在規(guī)定的不確定性范圍內無限期有效，前提是按照本證書中給出的說明處理和儲存 SRM（參見“處理、儲存和使用說明"）。因此，不需要定期重新校準或重新認證此 SRM。如果 SRM 損壞、污染或以其他方式修改，則認證無效。